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参数资料
| 型号： | 2SA1706 |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | NMP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 179K |
| 代理商： | 2SA1706 |
2SA1512
2
SJC00019BED
VBE(sat) IC
hFE IC
fT IE
PC Ta
IC VCE
VCE(sat) IC
Cob VCB
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
500
400
300
200
100
Collector
power
dissipation
P
C
(mW
)
Ambient temperature T
a (°C)
0
6
5
4
1
3
2
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Ta
= 25°C
9 A
8 A
7 A
6 A
5 A
4 A
3 A
2 A
1 A
IB
= 10 A
Collector
current
I
C
(mA
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
100
IC / IB
= 10
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (A)
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
100
IC / IB
= 10
Ta
= 25°C
25
°C
75
°C
Base-emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V
)
Collector current I
C (A)
0.01
0.1
1
10
0
600
500
400
300
200
100
VCE
= 2 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (A)
0.1
1
10
100
0
320
240
80
160
VCB
= 10 V
Ta
= 25°C
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
Emitter current I
E (mA)
1
10
100
0
80
60
20
40
IE
= 0
f
= 1 MHz
Ta
= 25°C
Collector-base voltage V
CB (V)
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1706R | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1707-S | 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1707 | 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4487-T | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4487-S | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1706S-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1706T-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1707S-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1707T-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1708S-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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