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参数资料
| 型号： | 2SA1707-R |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | NMP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | 2SA1707-R |
No.3093-2/5
2SA1707/2SC4487
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(
=
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B =∞
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–
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s
e
S5
3s
n
Switching Time Test Circuit
VR
RL
VCC=25V
VBE= --5V
10IB1= --10IB2= IC=1A
(For PNP, the polarity is reversed.)
+
50
INPUT
OUTPUT
RB
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
IB2
D.C.
≤1%
IC -- VCE
ITR04305
2SC4487
--5
--4
--3
--2
--1
0
--0.4
--0.8
--1.6
--2.0
--1.2
IC -- VCE
ITR04304
2SA1707
IB=0
--5mA
--20mA
--10mA
--50mA
--100mA
--200mA
IB=0
5mA
10mA
20mA
40mA
60mA
80mA
100mA
IC -- VCE
ITR04307
2SC4487
IC -- VCE
ITR04306
2SA1707
IB=0
--2mA
--4mA
--6mA
--8mA
--12mA
--10mA
--14mA
IB=0
1mA
2mA
3mA
4mA
5mA
6mA
8mA
7mA
--2.0
--1.6
--1.2
--0.8
--0.4
0
--4
--8
--16
--20
--12
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
048
16
20
12
5
4
3
2
1
0
0.4
0.8
1.6
2.0
1.2
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector
Current,
I C
–
A
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1707-R | 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4487-S | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1710Q | 100 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4490Q | 100 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4490S | 100 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1707S-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1707T-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1708S-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1708T-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1709S-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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