参数资料
型号: 2SA1707R
厂商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: NMP, 3 PIN
文件页数: 3/5页
文件大小: 61K
代理商: 2SA1707R
No.3093-3/5
2SA1707/2SC4487
2SC4487
f=1MHz
5
2
3
2
3
5
7
100
10
--10
--100
--1.0
57
23
5
7
23
Cob -- VCB
ITR04314
2SA1707
f=1MHz
100
1000
10
7
5
3
2
7
5
3
2
3
25
7
3
25
7
--0.01
--0.1
3
2
--1.0
f T -- IC
2SA1707
VCE= --10V
ITR04312
f T -- IC
2SC4487
VCE=10V
ITR04313
Cob -- VCB
ITR04315
Ta=75°C
25°C
--25°C
2SC4487
VCE=2V
hFE -- IC
ITR04311
hFE -- IC
100
--0.01
1000
7
5
7
5
3
2
23
5
57
--0.1
72
3
5
7 --1.0
25
3
2SA1707
VCE= --2V
ITR04310
Ta=75
°C
--25
°C
25
°C
IC -- VBE
2SC4487
VCE=2V
--25
°C
25
°C
T
a=75
°C
ITR04309
25
°C
--25
°C
T
a=75
°C
2SA1707
VCE= --2V
--3.6
--2.4
--2.8
--3.2
--0.4
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
0
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
IC -- VBE
ITR04308
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
100
1000
10
7
5
3
2
7
5
3
2
3
25
7
3
25
7
0.01
0.1
3
2
1.0
3.6
2.4
2.8
3.2
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
100
0.01
1000
7
5
7
5
3
2
23
5
57
0.1
72
3
5
7 1.0
25
3
5
2
3
2
3
5
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100
10
100
1.0
57
23
5
7
23
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – A
Gain-Bandwidth
Product,
f T
MHz
Collector Current, IC – A
Gain-Bandwidth
Product,
f T
MHz
Collector Current, IC – A
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Collector
Current,
I C
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
Collector
Current,
I C
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
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