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参数资料
| 型号： | 2SA1720-L |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | ISOLATED TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 230K |
| 代理商： | 2SA1720-L |
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Old Company Name in Catalogs and Other Documents
On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology
Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both
companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid
Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
Renesas Electronics website: http://www.renesas.com
April 1st, 2010
Renesas Electronics Corporation
Issued by:
Renesas Electronics Corporation (http://www.renesas.com)
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1721OTE85L | 100 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SA1721RTE85R | 100 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SA1721 | 100 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SA1731QTP-FA | 5000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1731STP-FA | 5000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1720-L(AZ) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SA1721OTE85LF | 功能描述:TRANS PNP 300V 100MA TO236-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:Digi-Key 停止供應 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 20mA，10V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:50MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 标准包装:1 |
| 2SA1721RTE85LF | 功能描述:TRANS PNP 300V 100MA TO236-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:Digi-Key 停止供應 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 20mA，10V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:50MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 标准包装:1 |
| 2SA1723 | 功能描述:TRANS PNP 20V 300MA TO126-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1725 | 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Trans GP BJT PNP 80V 6A 3-Pin (3+Tab) TO-220F Bulk 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Trans GP BJT PNP 80V 6A 3-Pin (3+Tab) TO-220F Box 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:TRANS PNP 80V 6A TO220F |
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