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参数资料
| 型号： | 2SA1734R1G |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | CASE 1213-02, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | 2SA1734R1G |
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003
July, 2003 - Rev. 0
1
Publication Order Number:
2SA1734R1G/D
2SA1734R1G
Preferred Device
PNP Silicon Transistor
The device is housed in the SOT-89 package, which is designed for
medium power surface mount applications.
High Current: 1.2 Amp
Available in 7 inch/1000 unit Tape and Reel
Device Marking: SA
MAXIMUM RATINGS (TC = 25°C unless otherwise noted)
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector-Emitter Voltage
VCEO
-30
Vdc
Collector-Base Voltage
VCBO
-40
Vdc
Emitter-Base Voltage
VEBO
-6
Vdc
Collector Current
IC
- 1.2
Adc
Total Power Dissipation
@ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
(Note 1)
(Note 2)
1.56
13
0.67
5.0
Watts
mW/
°C
Watts
mW/
°C
Operating and Storage
Temperature Range
TJ, Tstg
- 65 to 150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance
Junction-to-Ambient
(surface mounted)
RθJA
(Note 1)
(Note 2)
60
190
°C/W
Maximum Temperature for
Soldering Purposes
Time in Solder Bath
TL
260
10
°C
Sec
1. FR -4 @ 1.0 X 1.0 inch Pad 2.0 oz. Cu PCB
2. FR -4 @ Minimum Pad
Device
Package
Shipping
ORDERING INFORMATION
SOT - 89
CASE 1213
STYLE 2
MARKING DIAGRAM
SA
Y = Year Code
M = Month Code
SA = Device Code
Preferred devices are recommended choices for future use
and best overall value.
COLLECTOR 2
BASE
1
EMITTER
3
MEDIUM POWER
PNP SILICON
HIGH CURRENT
TRANSISTOR
SURFACE MOUNT
1
2
3
2SA1734R1G
SOT - 89
1000/Tape & Reel
YM
http://onsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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