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参数资料
| 型号： | 2SA1768-R |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 700 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | NMP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | 2SA1768-R |
No.3582-2/5
2SA1768/2SC4612
* : The 2SA1768/2SC4612 are classified by 100mA hFE as follows :
k
n
a
RR
S
T
h E
F
0
2
o
t
0
10
8
2
o
t
0
4
10
0
4
o
t
0
2
Switching Time Test Circuit
r
e
t
e
m
a
r
a
Pl
o
b
m
y
Ss
n
o
i
t
i
d
n
o
C
s
g
n
i
t
a
R
t
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n
U
n
i
mp
y
tx
a
m
e
g
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t
l
o
V
n
w
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d
k
a
e
r
B
e
s
a
B
-
o
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-
r
o
t
c
e
ll
o
CV
O
B
C
)
R
B
(
IC
I
,
A
0
1
=
E 0
=0
8
1
)
–
(V
e
g
a
t
l
o
V
n
w
o
d
k
a
e
r
B
r
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t
i
m
E
-
o
t
-
r
o
t
c
e
ll
o
CV
O
B
C
)
R
B
(
IC
R
,
A
m
1
=
E
B =∞
0
6
1
)
–
(V
e
g
a
t
l
o
V
n
w
o
d
k
a
e
r
B
e
s
a
B
-
o
t
-
r
e
t
i
m
EV
O
B
E
)
R
B
(
IE
I
,
A
0
1
=
C 0
=6
V
e
m
i
T
N
O
-
n
r
u
Tt n
o
t
i
u
c
r
i
C
t
s
e
T
d
e
i
f
i
c
e
p
s
e
S0
5
)
0
6
(s
n
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m
i
T
e
g
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r
o
t
St g
t
s
t
i
u
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C
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s
e
T
d
e
i
f
i
c
e
p
s
e
S
)
0
9
(s
n
0
1s
n
e
m
i
T
ll
a
Ftf
t
i
u
c
r
i
C
t
s
e
T
d
e
i
f
i
c
e
p
s
e
S0
6
)
0
6
(s
n
VR
333
100V
--5V
20IB1= --20IB2= IC=300mA
+
50
INPUT
OUTPUT
RB
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
(For PNP, the polarity is reversed.)
IB2
--20mA
--40mA
--60mA
--80mA
--100mA
--120mA
From top
--200mA
--180mA
--160mA
--140mA
ITR04537
--800
--700
--600
--500
--400
--300
--200
--100
0
--400
--800
--1000
--200
--600
IC -- VCE
IB=0
2SA1768
ITR04536
20mA
10mA
30mA
40mA
50mA
From top
100mA
90mA
80mA
70mA
60mA
800
700
600
500
400
300
200
100
0
400
800
1000
200
600
IC -- VCE
IB=0
2SC4612
--800
--700
--600
--500
--400
--300
--200
--100
2SA1768
2SC4612
200
400
600
800
1000
10
20
30
40
50
60
70
80
0
IC -- VCE
IB=0
0.5mA
1.0mA
1.5mA
2.0mA
2.5mA
3.0mA
3.5
mA
4.0
mA
ITR04539
0
--20
--50
--60
--80
--10
--40
--30
--70
IC -- VCE
--0.5mA
--2.5mA
--3.0mA
--3.5mA
--4.0mA
--4.5mA
--5.0mA
--1.0mA
IB=0
ITR04538
--2.0mA
--1.5mA
Collector
Current,
I C
–
mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –mV
Collector
Current,
I C
–
mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –mV
Collector
Current,
I C
–
mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–
mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1768T | 700 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1768-R | 700 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4612 | 700 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1768-S | 700 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4612R | 700 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1768S-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1768T-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1770S-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1770T-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1771(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -80V -12A 100 to 320 TO220NIS 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -80V -12A 100 to 320 TO220NIS Bulk |
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