型号: | 2SA1768-T |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 700 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | NMP, 3 PIN |
文件页数: | 4/5页 |
文件大小: | 48K |
代理商: | 2SA1768-T |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2N1936.MOD | 20 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-63 |
2N3448.MOD | 7.5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
2N3509.MOD | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-46 |
2N5000.MOD | 2 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-59 |
2N5666SMD05-JQR-B | 3 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-276AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SA1768T-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SA1770S-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SA1770T-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SA1771(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -80V -12A 100 to 320 TO220NIS 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -80V -12A 100 to 320 TO220NIS Bulk |
2SA1773E-TL-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS PNP HIGHV 400V 2A TO-251 |