型号: | 2SA1768S |
厂商: | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 700 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | NMP, 3 PIN |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 48K |
代理商: | 2SA1768S |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SA1768-R | 700 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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2SA1768-R | 700 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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2SA1768-S | 700 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SA1768S-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SA1768T-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SA1770S-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SA1770T-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SA1771(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -80V -12A 100 to 320 TO220NIS 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -80V -12A 100 to 320 TO220NIS Bulk |