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参数资料
| 型号： | 2SA1769-SA |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 0.7 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | 2SA1769-SA |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1769-RA | 0.7 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1769-LT | 0.7 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1769-LS | 0.7 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1127-YA | 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SB1127-LS | 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1770S-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1770T-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1771(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -80V -12A 100 to 320 TO220NIS 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -80V -12A 100 to 320 TO220NIS Bulk |
| 2SA1773E-TL-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS PNP HIGHV 400V 2A TO-251 |
| 2SA1774 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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