型号: | 2SA1769S |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 0.7 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
封装: | TO-126ML, 3 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 131K |
代理商: | 2SA1769S |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
2SC4617EB-P | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC4617EB-S | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC4617EB-Q | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC4617EBR | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC4617EB-R | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
2SA1770S-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SA1770T-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SA1771(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -80V -12A 100 to 320 TO220NIS 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -80V -12A 100 to 320 TO220NIS Bulk |
2SA1773E-TL-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS PNP HIGHV 400V 2A TO-251 |
2SA1774 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |