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参数资料
型号： 2SA1774-R-TP
厂商： MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件页数： 1/2页
文件大小： 170K
代理商： 2SA1774-R-TP
PNP Silicon
Epitaxial Transistor
Features
omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth
!"#
$% !"#
MCC
Revision: A
2011/01/01
TM
Micro Commercial Components
www.mccsemi.com
1 of 2
SOT-523
2SA1774-Q
2SA1774-R
2SA1774-S
Maximum Ratings @ Ta = 25
(unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Value
Unit
IC
Collector Current
-0.15
A
PD
Total Device Dissipation
0.15
W
TJ
Junction Temperature
150
TSTG
Storage Temperature Range
-55 to +150
Electrical Characteristics @ 25
OC Unless Otherwise Specified
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(IC=-1mAdc,IB=0)
-50
V
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
(IC=-50uAdc,IE=0)
-60
V
V(BR)EBO
Collector-Base Breakdown Voltage
(IE=-50uAdc,IC=0)
-7.0
V
ICBO
Collector-Base Cutoff Current
(VCB=-60Vdc, IE=0)
-0.1
Adc
IEBO
Emitter-Base Cutoff Current
(VEB=-6.0Vdc, IC=0)
-0.1
uAdc
ON CHARACTERISTICS
HFE
DC Current Gain
(IC=-1.0mAdc, VCE=-6.0Vdc)
120
560
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(IC=-5.0mAdc, IB=-5.0mAdc)
-0.5
Vdc
FT
Transition Frequency
(VCE=-12Vdc,IC=-2mAdc,f=30MHZ)
140(Typ)
MHZ
Cob
Collector Output Capacitance
(VCB=-12Vdc,IC=0Adc,f=1MHZ)
5
PF
CLASSIFICATION OF
hFE
Rank
Q
R
S
Range
120-270
180-390
270-560
Marking
FQ
FR
FS
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
.059
.067
1.50
1.70
B
.030
.033
0.75
0.85
C
.057
.069
1.45
1.75
D
.020 Nominal
0.50Nominal
E
.035
.043
0.90
1.10
G
.000
.004
.000
.100
H
.028
.031
.70
0.80
J
.004
.008
.100
.200
K
.010
.014
.25
.35
A
C
B
D
E
G
H
J
DIMENSIONS
K
E
B
C
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates
RoHS Compliant. See ordering information)
Small Package
Mounting:any position
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisure Sensitivity Level 1
相关PDF资料
PDF描述
2SA1774-S-TP 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1774EBQ 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1774EB 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1774TL/R 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1774TL 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SA1774T1 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA1774T1G 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA1774TL 制造商:Rohm 功能描述:PNP Cut Tape
2SA1774TLQ 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 50V 0.15A SOT-416 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA1774TLR 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 50V 0.15A SOT-416 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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