| 型号: | 2SA1774TL/Q |
| 元件分类: | 小信号晶体管 |
| 英文描述: | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装: | EMT3, SC-75A, 3 PIN |
| 文件页数: | 1/4页 |
| 文件大小: | 84K |
| 代理商: | 2SA1774TL/Q |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1063S | 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 2N4125M1TC | 200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1124U | 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N6235-JQR-AR1 | 5 A, 325 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA |
| 2SC2787 | 30 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1774TLR | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 50V 0.15A SOT-416 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1774TLS | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 50V 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1776P | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SA1776TV2P | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 400V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1776TV2Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 400V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |