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参数资料
| 型号： | 2SA1787D |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | NMP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 44K |
| 代理商： | 2SA1787D |
2SA1787/2SC4650
No.3581–2/5
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--20
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--2
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--9
IC -- VCE
--20
A
--40
A
--60A
--80A
--100A
--120
A
IB=0
ITR04700
2SA1787
20
18
16
14
12
10
8
6
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2
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01
2
3
6
5
48
710
9
IC -- VCE
20
A
40
A
60
A
80
A
100
A
120
A
140
A
160
A
IB=0
ITR04701
2SC4650
--10
--9
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
--10
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--60
--50
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IC -- VCE
--5
A
--10A
--15A
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--30A
--35A
--40A
IB=0
ITR04702
2SA1787
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
010
20
30
60
50
40
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70
100
90
IC -- VCE
10
A
20
A
30
A
40
A
50
A
60
A
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A
80
A
IB=0
ITR04703
2SC4650
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
7
5
3
2
10
100
5
3
2
5
--10
--100
73
25
7
3
2
25
7
--1.0
hFE -- IC
2SA1787
VCE=--10V
ITR04704
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
7
5
7
5
3
2
10
100
5
3
2
5
10
100
73
25
7
3
2
25
7
1.0
hFE -- IC
2SC4650
VCE=10V
ITR04705
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–
mA
Collector
Current,
I C
–
mA
DC
Current
Gain,
h
FE
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – mA
Collector
Current,
I C
–
mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–
mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4655B | 30 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4655C | 30 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4663-4000 | 5 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4054-4000 | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4052-4100 | 3 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1790GCL | 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 30MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |
| 2SA1790JCL | 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 30MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1791GRL | 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1791JRL | 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1793 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
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