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参数资料
| 型号： | 2SA1787E |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | NMP, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 44K |
| 代理商： | 2SA1787E |
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft’s
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using
any SANYO products described or contained herein in such applications.
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges,or other
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained
herein.
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
High-Definition CRT Display
Video Output Applications
Ordering number:ENN3581
2SA1787/2SC4650
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Company
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
80103TN (KT)/83198HA (KT)/5180TA (KOTO) No.3581–1/5
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( ) : 2SA1786
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C
Package Dimensions
unit:mm
2064A
[2SA1787/2SC4650]
Features
High breakdown voltage : VCEO≥200V.
Small reverse transfer capacitance and excellent high
frequency characteristic:
Cre=1.2pF (NPN), 1.7pF (PNP).
Adoption of FBET processes.
C
Electrical Characteristics at Ta = 25C
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
SANYO : NMP
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Continued on next page.
* : The 2SA1787/2SC4650 are classified by 10mA hFE as follows :
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1787 | 100 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1787D | 100 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4655B | 30 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4655C | 30 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4663-4000 | 5 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1790GCL | 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 30MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |
| 2SA1790JCL | 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 30MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1791GRL | 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1791JRL | 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1793 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
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