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参数资料
| 型号： | 2SA1790JB |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 30 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F1, SC-89, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 230K |
| 代理商： | 2SA1790JB |
DATA SHEET
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NPN SILICON RF TRANSISTOR
2SC4228
NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR
FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
3-PIN SUPER MINIMOLD
The mark
shows major revised points.
NEC Compound Semiconductor Devices 1993, 2003
Document No. PU10452EJ01V0DS (1st edition)
(Previous No. P10372EJ2V0DS00)
Date Published December 2003 CP(K)
Printed in Japan
DESCRIPTION
The 2SC4228 is a low supply voltage transistor designed for VHF, UHF low noise amplifier.
It is suitable for a high density surface mount assembly since the transistor has been applied 3-pin super minimold
package.
FEATURES
Low noise : NF = 1.9 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz
High gain :
S21e2 = 7.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz
3-pin super minimold package
ORDERING INFORMATION
Part Number
Quantity
Supplying Form
2SC4228
50 pcs (Non reel)
8 mm wide embossed taping
2SC4228-T1
3 kpcs/reel
Pin 3 (Collector) face the perforation side of the tape
Remark To order evaluation samples, contact your nearby sales office.
The unit sample quantity is 50 pcs.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = +25
°C)
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to Base Voltage
VCBO
20
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
10
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
1.5
V
Collector Current
IC
35
mA
Total Power Dissipation
Ptot
Note
150
mW
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature
Tstg
65 to +150
°C
Note Free air
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PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1797-A-TN3-T | 2 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 2SA1797G-A-TN3-T | 2 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 2SA1797G-B-TN3-R | 2 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 2SA1797L-B-TN3-R | 2 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 2SA1797L-A-TN3-T | 2 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1790JCL | 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 30MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1791GRL | 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1791JRL | 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1793 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
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