- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30612 > 2SA1796-4061 7 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SA1796-4061 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 7 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | EPACK-3 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 82K |
| 代理商： | 2SA1796-4061 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2062-4062 | 10 A, 250 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SC4669-4071 | 10 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SK2491-4062 | 20 A, 180 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SC4668-4061 | 7 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SK2181-4072 | 3 A, 500 V, 2.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1796-7061 | 功能描述:两极晶体管 - BJT V=-40/IC=-7/HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1796-7071 | 功能描述:两极晶体管 - BJT V=-40/IC=-7/HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1796-7100 | 功能描述:两极晶体管 - BJT V=-40/IC=-7/HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1796-7101 | 功能描述:两极晶体管 - BJT V=-40/IC=-7/HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1797T100P | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。