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参数资料
| 型号： | 2SA1804-O |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-16F1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 134K |
| 代理商： | 2SA1804-O |
2SA1804
2006-11-09
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type
2SA1804
Power Amplifier Applications
Complementary to 2SC4689
Recommended for 55-W high-fidelity audio frequency amplifier
output stage
Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
120
V
Collector-emitter voltage
VCEO
120
V
Base-emitter voltage
VEBO
5
V
DC
IC
8
Collector current
Pulse
ICP
16
A
Base current
IB
0.8
A
Collector power dissipation
(Tc = 25°C)
PC
70
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to
decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report
and estimated failure rate, etc).
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-16F1A
Weight: 5.8 g (typ.)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1805-R | 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1805 | 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1810 | 0.2 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1810B | 0.2 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1830-AY | 2 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1804-R(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
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