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参数资料
| 型号： | 2SA1806GR |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 50 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SSMINI3-F3, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 195K |
| 代理商： | 2SA1806GR |
Transistors
1
Publication date: May 2007
SJC00381AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
2SA1806G
Silicon PNP epitaxial planar type
For high speed switching
■ Features
High speed switching
Low collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic insertion through the tape packing
■ Absolute Maximum Ratings T
a
= 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
15
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
15
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
4V
Collector current
IC
50
mA
Peak collector current
ICP
100
mA
Collector power dissipation
PC
125
mW
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +125
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base cutoff current (Emitter open)
ICBO
VCB
= 8 V, I
E
= 0
0.1
A
Emitter-base cutoff current (Collector open)
IEBO
VCE = 3 V, IC = 0
0.1
A
Forward current transfer ratio
hFE1 *
VCE = 1 V, IC = 10 mA
50
150
hFE2
VCE
= 1 V, I
C
= 1 mA
30
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat)
IC = 10 mA, IB = 1 mA
0.1
0.2
V
Transition frequency
fT
VCB = 10 V, IE = 10 mA, f = 200 MHz
800
1 500
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 5 V, IE = 0, f = 1 MHz
1
pF
(Common base, input open circuited)
Turn-on time
ton
Refer to the switching time
12
ns
Turn-off time
toff
measurement circuit
20
ns
Storage time
ts
19
ns
■ Electrical Characteristics T
a
= 25°C ± 3°C
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2. *: Rank classification
Ranking is not given for any product.
Rank
Q
R
hFE1
50 to 120
90 to 150
■ Package
Code
SSMini3-F3
Marking Symbol: AK
Pin Name
1. Base
2. Emitter
3. Collector
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1806GQ | 50 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SA1806Q | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SA1812T100P | 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1806GRL | 功能描述:TRANS PNP 15VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1806JRL | 功能描述:TRANS PNP 15VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1807TLP | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP;HIGH VOLTAGE HFE RANK ’P’ RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1812T100Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 400V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1813-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:omo 25V 0.15A 500 to 1200 MCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS PNP 25V 0.15A SOT323 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
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