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参数资料
| 型号： | 2SA1806JR |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F1, SC-89, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 115K |
| 代理商： | 2SA1806JR |
2SA1806J
2
SJC00300AED
IC VCE
VCE(sat) IC
VBE(sat) IC
PC Ta
hFE IC
Cob VCB
Switching time measurement circuit
ton , toff Test circuit
tstg Test circuit
508
30
51
V
BB = 10 V
V
IN
V
CC = 3 V
V
IN = 9.0 V
V
IN = 5.8 V
V
BB = Ground
V
IN = 9.8 V
V
BB = 8.0 V
V
OUT
0.1
F
34
V
IN
0
V
OUT
V
IN
V
OUT
90%
10%
t
stg
t
on
t
off
90%
2 k
62
51
V
BB
V
IN
V
CC = 1.5 V
V
OUT
0.1
F
52
0
20
40
60
80
100
120 140
0
20
40
60
80
100
120
140
Collector
power
dissipation
P
C
(mW
)
Ambient temperature T
a (°C)
Collector
current
I
C
(mA
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
0
12
10
8
2
6
4
0
80
60
70
50
40
30
10
20
500 A
400 A
300 A
200 A
100 A
IB
= 600 A
Ta
= 25°C
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
25
°C
25°C
Ta
= 75°C
1
10
100
1000
0.01
0.1
1.0
10
IC / IB
= 10
Base-emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
1
0.1
10
100
1000
0.1
1
10
25
°C
75
°C
Ta
= 25°C
IC / IB
= 10
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
0.1
1
10
100
0
120
140
160
180
100
80
60
40
20
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
VCE
= 1 V
Collector-base voltage V
CB (V)
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
0.1
1
10
0
2
4
6
8
10 12141618
f
= 1 MHz
Ta
= 25°C
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1807F5TLNP | 1000 mA, 600 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1807F5TLP | 1000 mA, 600 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1807TLN | 1000 mA, 600 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1812P | 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1963Q | 3000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1806JRL | 功能描述:TRANS PNP 15VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1807TLP | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP;HIGH VOLTAGE HFE RANK ’P’ RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1812T100Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 400V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1813-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:omo 25V 0.15A 500 to 1200 MCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS PNP 25V 0.15A SOT323 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| 2SA1815 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANSISTOR MCP-15V -.05A .25W CBE SURFACE MT |
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