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参数资料
| 型号： | 2SA1815-5-TB |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | 2SA1815-5-TB |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3143-4-TB | 80 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SA1815-4-TB | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SA1682-4-TB | 50 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SA1256-4 | Si, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SC3143-TB | 80 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA182 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-1 -15V -.01A .05W |
| 2SA1822(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Cut Tape |
| 2SA1827S-AY | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 4A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1832 | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP, 50V, 150mA |
| 2SA1832F-GR(TPL3,F | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Cut Tape |
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