- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录49900 > 2SA1823-T (SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD) 8 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SA1823-T |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | FLP-3 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 2SA1823-T |
2SA1823
No.3870–3/4
--1000
2
3
5
7
2
3
5
7
--100
--10
23
5 7
23
5 7
23
5 7
--0.01
--0.1
--1.0
--10
VCE(sat) -- IC
IC / IB=20
ITR04758
Cob -- VCB
7
5
3
2
5
3
2
100
10
23
7
75
52
3
5
--1.0
--10
f=1MHz
ITR04759
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
A S O
--0.1
--1.0
5
3
5
3
2
--10
5
7
3
2
--0.1
25
37 --1.0
25
3
--10
23
7
0
1.6
1.5
1.2
1.4
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
20
060
40
80
100
140
120
160
PC -- Ta
VBE(sat) -- IC
--1.0
--0.1
--0.01
--0.1
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
23
5
7
--1.0
23
5
7
--10
23
5
7
IC / IB=20
ITR04760
ITR04762
ITR04761
Ta=--25°C
25°C
75°C
10ms
100ms
1ms
DC
operation
Ta=25
°C
Signle pulse
ICP=–12A
IC=–8A
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Collector Current, IC – A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
mV
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector
Dissipation,
P
C
–
W
Ambient Temperature, Ta – C
Collector Current, IC – A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1823-R | 8 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1836-M6 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1836-M7 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1839TB | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1839TB | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1827S-AY | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 4A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1832 | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP, 50V, 150mA |
| 2SA1832F-GR(TPL3,F | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Cut Tape |
| 2SA1832F-Y(TPL3,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Cut Tape |
| 2SA1832-GR(T5L,F,T | 功能描述:两极晶体管 - BJT -150mA -0.3V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。