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参数资料
| 型号： | 2SA1827R |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | FLP-3 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 52K |
| 代理商： | 2SA1827R |
2SA1827/2SC4731
No.3879–3/4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
--1
--2
--3
--4
--5
0
1
2
3
4
5
100
10
2
3
5
7
1000
2
3
5
7
5
7
hFE -- IC
ITR04818
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
IC -- VBE
--25
°C
25
°C
T
a=75
°C
ITR04815
IC -- VBE
--
2
5°
C
25
°C
T
a=75
°C
ITR04816
--0.01
100
10
2
3
5
7
1000
2
3
5
7
5
7
23
5
--0.1
23
5
--1.0
23
5
--10
0.01
23
5
0.1
23
5
1.0
23
5
10
hFE -- IC
ITR04817
2SA1827
VCE=--5V
--25
°C
25
°C
Ta=75
°C
0.01
2
53
5
0.1
23
5
1.0
23
5
10
57 1.0
23
10
100
2
3
5
7
2
3
5
23
5
7
0.1
23
5
7
1.0
23
5
VCE (sat) -- IC
ITR04821
7
5
3
2
100
7
5
3
2
1000
5
3
2
7
5
10
7
2
3
5
3
2
100
10
VCE (sat) -- IC
ITR04822
f T -- IC
ITR04819
Cob -- VCB
ITR04820
57
10
22
35
7 100
25
°C
Ta=75
°C
--25
°C
2SA1827
VCE=--5V
2SC4731
VCE=5V
2SC4731
VCE=5V
--25
°C
25
°C
Ta=75
°C
2SC4731
2SA1827
2SC4731
IC / IB=20
2SC4731
2SA1827
--0.01
2
53
5
--0.1
23
5
--1.0
23
5
--10
--100
--1000
5
3
2
5
3
2
5
3
2
--10
25
°C
Ta=75
°C
--25
°C
2SA1827
IC / IB=10
2SA1827 / 2SC4731
f=1MHz
2SA1827 / 2SC4731
VCE=10V
Collector
Current,
I C
–A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
Collector
Current,
I C
–A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
Gain-Bandwidth
Product,
f T
–
MHz
Collector Current, IC –A
Output
Capacitance,
Cob
–
p
F
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
(For PNP, minus sign is omitted.)
Collector Current, IC –A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
m
V
Collector Current, IC –A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
m
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4731 | 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1827 | 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1832-Y | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1832-Y | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1832-O | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1827S-AY | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 4A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1832 | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP, 50V, 150mA |
| 2SA1832F-GR(TPL3,F | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Cut Tape |
| 2SA1832F-Y(TPL3,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Cut Tape |
| 2SA1832-GR(T5L,F,T | 功能描述:两极晶体管 - BJT -150mA -0.3V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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