| 型号: | 2SA1837 |
| 元件分类: | 功率晶体管 |
| 英文描述: | 1 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数: | 1/4页 |
| 文件大小: | 116K |
| 代理商: | 2SA1837 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1840 | 5 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1840-L | 5 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1840-K | 5 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1841K | 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1843-K-AZ | 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1837(F | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT PNP 230V 1A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS |
| 2SA1837(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -230V -1A 100 to 320 TO220NIS Bulk 制造商:Toshiba 功能描述:Trans GP BJT PNP 230V 1A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS |
| 2SA1837(F,M) | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP - 230V -1A 20W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1837(LBSAN,F,M) | 功能描述:TRANS PNP 1A 230V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):230V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:70MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 |
| 2SA1837(M) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS PNP -230V -1A TO220NIS |