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参数资料
| 型号： | 2SA1870TR/E |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 12 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | 2SA1870TR/E |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1182F5/Q | 2000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5115TR | 5 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1812T101P | 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1308T101R | 3000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5053T101/PQ | 1 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1871-GA2(T1-AZ) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SA1871-GA3(T1-AZ) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SA1871-T1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Cut Tape |
| 2SA1873-GR | 功能描述:两极晶体管 - BJT INCORRECT MOUSER P/N RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1873-GR(TE85L,F | 功能描述:两极晶体管 - BJT -150mA -50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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