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参数资料
| 型号： | 2SA1876-4101 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | 2SA1876-4101 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4668-4101 | 7 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SK2663-4101 | 1 A, 900 V, 14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2670-4102 | 5 A, 900 V, 2.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK1861-4101 | 4 A, 150 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2177-4071 | 1 A, 500 V, 7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1876-7061 | 功能描述:两极晶体管 - BJT V=-80 IC=-3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1876-7071 | 功能描述:两极晶体管 - BJT V=-80 IC=-3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1876-7100 | 功能描述:两极晶体管 - BJT V=-80 IC=-3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1876-7101 | 功能描述:两极晶体管 - BJT V=-80 IC=-3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1877-7061 | 功能描述:两极晶体管 - BJT V=-80 IC=-5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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