型号: | 2SA1942-O |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 12 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 135K |
代理商: | 2SA1942-O |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SA1943-O | 15 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
2SA1952TL/Q | 5000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SA1953-A | 500 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
2SA1953-B | 500 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
2SA1953A | 500 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SA1942-O(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistor PNP 160V 12A 30MHz TO-3P(L) |
2SA1942-R(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
2SA1943-0 | 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:TRANSISTOR PNP 2-21F1A 制造商:MAGNATEC 功能描述:TRANSISTOR, PNP, 2-21F1A |
2SA1943-0 | 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:TRANSISTOR PNP 2-21F1A |
2SA1943N(S1,E,S) | 功能描述:TRANS PNP 230V 15A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):15A 电压 - 集射极击穿(最大值):230V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):3V @ 800mA,8A 电流 - 集电极截止(最大值):5μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 1A,5V 功率 - 最大值:150W 频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P(N) 标准包装:150 |