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参数资料
| 型号： | 2SA2093TV2 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ATV, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 932K |
| 代理商： | 2SA2093TV2 |
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www.rohm.com
○
c
2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2011.03 - Rev.B
Power transistor (
60V, 2A)
2SA2093
Features
Dimensions (Unit : mm)
1) High speed switching.
(tf : Typ. : 30ns at IC = 2A)
2) Low saturation voltage, typically
(Typ. : 200mV at IC = 1.0A, IB = 0.1A)
3) Strong discharge power for inductive load and
capacitance load.
4) Complements the 2SC5880
Applications
Small signal low frequency amplifier
High speed switching
Structure
PNP epitaxial planar silicon transistor
Packaging specifications
Taping
2SA2093
Type
TV2
2500
Package
Basic ordering unit (pieces)
Code
Absolute maximum ratings (Ta=25
C)
Parameter
V
A
W
°C
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
Tstg
60
6
2.0
4.0
1.0
150
55 to 150
Limits
Unit
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
DC
Pulsed
Pw=10ms
Taping specifications
Abbreviated symbol :
A2093
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
ATV
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA2093TV2R | 2000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2118P | 2 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SA2120-R | 12 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA2126-TL | 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2126 | 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA2093TV2Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP BJT PNP 60V 2A 3PIN ATV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA2094 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Medium power transistor (-60V, -2A) |
| 2SA2094_11 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Medium power transistor (-60V, -2A) |
| 2SA2094TLQ | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP BJT PNP 60V 2A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA2094TLR | 功能描述:TRANSISTOR PNP 60V 2A TSMT3 TR RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
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