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参数资料
| 型号： | 2SA2120 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 12 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-16C1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 181K |
| 代理商： | 2SA2120 |
2SA2120
2006-11-16
4
Collector-emitter voltage VCE (V)
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
Safe operating area
100
1
10
100
1
1000
10
*: Single non-repetitive
pulse Tc = 25°C
Curves must be de-rated
linearly with increase in
temperature.
IC max (continuous)
IC max (pulsed)*
V
CE
O
max
DC operation
Tc = 25°C
1 ms*
10 ms*
100 ms*
0.1
0
40
80
120
160
200
50
100
200
250
C
oll
ec
to
rpo
w
er
d
is
si
pat
ion
P
C
(W
)
Ambient temperature Ta (°C)
PC – Ta
150
T
rans
ie
nt
th
er
m
al
re
si
st
anc
e
r th
(
°C
/W
)
rth – tw
Pulse width tw (s)
100
0.01
0.001
1000
0.01
0.1
1
10
100
0.1
10
1
Curves should be applied in thermal limited
area. (single non-repetitive pulse)
①
Infinite heat sink
②
No heat sink
①
②
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SA2120-R(Q) | 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor PNP 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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