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参数资料
型号： 2SA2161J
厂商： PANASONIC CORP
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： 500 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F1, SC-89, 3 PIN
文件页数： 1/3页
文件大小： 233K
代理商： 2SA2161J
Transistors
1
Publication date: November 2004
SJC00312BED
2SA2161J
Silicon PNP epitaxial planar type
For general amplification
Complementary to 2SC6037J
■ Features
Low collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic insertion through the tape packing
■ Absolute Maximum Ratings T
a
= 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
15
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
12
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
5V
Collector current
IC
500
mA
Peak collector current
ICP
1A
Collector power dissipation
PC
125
mW
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +125
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
IC
= 10 A, I
E
= 0
15
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
IC = 1 mA, IB = 0
12
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
IE = 10 A, IC = 0
5V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
ICBO
VCB
= 15 V, I
E
= 0
0.1
A
Forward current transfer ratio
hFE
VCE = 2 V, IC = 10 mA
270
680
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat)
IC = 200 mA, IB = 10 mA
250
mV
Transition frequency
fT
VCB
= 2 V, I
E
= 10 mA, f = 200 MHz
200
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
4.5
pF
(Common base, input open circuited)
■ Electrical Characteristics T
a
= 25°C ± 3°C
Unit: mm
Marking Symbol: 2U
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
1: Base
2: Emitter
3: Collector
EIAJ: SC-89, JEDEC: SOT-490
SSMini3-F1 Package
0.27±0.02
3
12
0.12
+0.03
–0.01
0.80
±
0.05
(0.80)
0.85
1.60
±
0.05
0
to
0.02
0.10
max.
0.70
+0.05 –0.03
(0.375)
5
1.60
+0.05
–0.03
1.00±0.05
(0.50)(0.50)
+0.05 –0.03
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
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http://panasonic.net/sc/en
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PDF描述
2SA2162G 500 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2174J 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2SA2222SG 10 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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参数描述
2SA2161J0L 功能描述:TRANS PNP 12VCEO 500MA SSMINI3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SA2162 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type
2SA216200L 功能描述:TRANS PNP 12VCEO 500MA SSSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SA2162G0L 功能描述:TRANS PNP 12VCEO 500MA SSSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SA216300A 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 30MA ML3-N2 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
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