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参数资料
| 型号： | 2SA2168-T |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | FLP, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 31K |
| 代理商： | 2SA2168-T |
2SA2168
No.8357-1/4
Features
Adoption of MBIT process.
High breakdown voltage and large current capacity.
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Collector-to-Base Voltage
VCBO
--180
V
Collector-to-Emitter Voltage
VCEO
--160
V
Emitter-to-Base Voltage
VEBO
--6
V
Collector Current
IC
--1.5
A
Collector Current (Pulse)
ICP
--2.5
A
Collector Dissipation
PC
1.5
W
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature
Tstg
--55 to +150
°C
Electrical Characteristics at Ta=25
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=--120V, IE=0A
--1
A
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=--4V, IC=0A
--1
A
DC Current Gain
hFE1VCE=--5V, IC=--100mA
140*
400*
hFE2VCE=--5V, IC=--10mA
80
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=--10V, IC=--50mA
120
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=--10V, f=1MHz
22
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=--500mA, IB=--50mA
--200
--500
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=--500mA, IB=--50mA
--0.85
--1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=--10A, IE=0A
--180
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=--1mA, RBE=∞
--160
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=--10A, IC=0A
--6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
40
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
0.7
s
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
40
ns
* ; The 2SA2168 is classified by 100mA hFE as follows :
Rank
S
T
hFE
140 to 280
200 to 400
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Company
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
Ordering number : ENN8357
62005CB MS IM TB-00001469
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using
any SANYO products described or contained herein in such applications.
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained
herein.
2SA2168
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor
High-Voltage Switching Applications
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA2168 | 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA2168-S | 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA562Y-BP | 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA562O | 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA562Y | 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA2169 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Current Switching Applications |
| 2SA2169-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 10A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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