- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录41460 > 2SA2168 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SA2168 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | FLP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 31K |
| 代理商： | 2SA2168 |
2SA2168
No.8357-2/4
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm
7514-003
10.5
8.5
7.5
4.5
1.9
2.6
1.2
1.4
13
2
1.2
0.5
1.0
1.6
2.5
0.5
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
SANYO : FLP
VR
RL
VCC= --100V
VBE=5V
10IB1= --10IB2= IC= --0.7A
+
50
VIN
VOUT
RB
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
IB2
D.C.
≤1%
IC
Ta=75
°C
--25
°C
hFE -- IC
VCE= --5V
IT09691
100
7
1000
7
5
3
2
5
3
2
10
7
5
--1.0
--0.01
3
25
3
23
2
5
--0.1
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
--1.6
--1.2
--0.8
--0.4
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.2
--1.0
IC -- VBE
IT09690
25
°C
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
--20mA
--10mA
--2mA
--5mA
--1mA
--40mA
--60mA
--80mA
--1.8
--1.6
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
--2
--4
--5
--1
--3
IB=0mA
ITR04571
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
--20
--50
--10
--30
--40
--0.5mA
--2.5mA
--3.0mA
--3.5mA
--4.0mA
--4.5mA
--5.0mA
--1.0mA
IB=0mA
ITR04573
--2.0mA
--1.5mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA2168-S | 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA562Y-BP | 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA562O | 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA562Y | 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA684-S-T9N-K | 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA2169 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Current Switching Applications |
| 2SA2169-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 10A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA2169-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 10A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA2174G0L | 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 100MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA2174J0L | 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 100MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。