型号: | 2SA2195 |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 1700 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | UFM, 2-2U1A, 3 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 126K |
代理商: | 2SA2195 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
2SA2204-TL | 2500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SA2204-TL | 2500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SA2219 | 1500 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SA2220 | 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
2SA2223Y | 15 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
2SA2196 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors DC / DC Converter Applications |
2SA2197 | 制造商:SANYO 功能描述:PNP 30V 0.5A 200 to 560 TO126 Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR PNP 30V 7A TO-126 制造商:Sanyo 功能描述:Trans GP BJT NPN 30V 7A 3-Pin TO-126 |
2SA2199 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:General Purpose Transistor |
2SA2199T2LQ | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP BIPLR HFE RANK Q RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SA2199T2LR | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP BIPLR HFE RANK R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |