参数资料
型号: 2SA2197
厂商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 7000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126
文件页数: 2/5页
文件大小: 44K
代理商: 2SA2197
2SA2197 / 2SC6102
No. A0463-2/5
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)2.5A, IB=(--)50mA
(--160)125
(--240)185
mV
Base-to-Emitterr Saturation Voltage
VBE(sat)
VCE=(--)2.5V, IB=(--)50mA
(--)0.84
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10A, IE=0A
(--30)40
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)30
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10A, IC=0A
(--)6
V
Turn-On Time
ton
See specified Test Circuit.
(30)30
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(190)320
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
(17)14
ns
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7515-002
8.0
4.0
1.6
0.8
0.6
0.8
7.0
3.0
1.5
11.0
15.5
0.5
2.7
12
3
3.0
4.8
1.2
2.4
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
SANYO : TO-126
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
7
6
3
4
5
1
2
1.6
0.4
0.8
1.2
1.8
0.2
0.6
1.0
1.4
2.0
0
IB=0mA
5mA
10mA
15mA
20mA
IT11479
--7
--6
--3
--4
--5
--1
--2
0
--0.2
--0.6
--1.0
--0.4
--0.8
--1.2
--1.8
--1.4
--1.6
--2.0
--10mA
--15mA
IB=0mA
IT11478
--20mA
--40mA
2SA2197
2SC6102
--5mA
--30mA
--50mA
30mA
40mA
50mA
--25mA
25mA
VR
RB
VCC=12V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
20IB1= --20IB2=IC=2.5A
For PNP, the polarity is reversed.
RL
相关PDF资料
PDF描述
2SC6102 7000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126
2SA2202 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA564AR 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SA564S 100 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SA564 100 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相关代理商/技术参数
参数描述
2SA2199 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:General Purpose Transistor
2SA2199T2LQ 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP BIPLR HFE RANK Q RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA2199T2LR 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP BIPLR HFE RANK R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA2200-TD-E 制造商:SANYO 功能描述:PNP 60V 0.1A 200 to 400 PCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR PNP 60V 3A SOT89
2SA2200TD-E 制造商:Sony Semiconductor Solutions Division 功能描述: