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参数资料
| 型号： | 2SA844RF |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 55 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | 2SA844RF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA893ARF | 50 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC2855RR | 100 mA, 90 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SB1000AJ | 1000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4906YN | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1059TZ | 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA847 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MITSUBISHI TRANS. TO- -90V -.05A .2W BCE |
| 2SA854 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Medium Power Transistor (-32V, -0.5A) |
| 2SA854S | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Medium Power Transistor (-32V, -0.5A) |
| 2SA854STPQ | 功能描述:两极晶体管 - BJT DVR PNP 32V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA854STPR | 功能描述:两极晶体管 - BJT DVR PNP 32V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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