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参数资料
| 型号： | 2SA854STP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | 2SA854STP |
(96-86-B11)
FExternal dimensions (Units: mm)
204
Transistors
Medium Power Transistor
(
*32V, *0.5A)
2SA1036K / 2SA1577 / 2SA854S
FFeatures
1) Large IC.
ICMax. =
*500mA
2) Low VCE(sat). Ideal for low-voltage
operation.
3) Complements the 2SC2411K /
2SC1741S / 2SC4097.
FStructure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1036KT146 | 500 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA872D | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA872AD | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA872 | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA872A | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA854STPQ | 功能描述:两极晶体管 - BJT DVR PNP 32V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA854STPR | 功能描述:两极晶体管 - BJT DVR PNP 32V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA857 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-92-150V -.05A .5W ECB |
| 2SA858 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-92-150V -.05A .5W ECB |
| 2SA866 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-92-30V -.1A .3W EBC |
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