型号: | 2SA965-OTPE6 |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
文件页数: | 2/2页 |
文件大小: | 64K |
代理商: | 2SA965-OTPE6 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SA966TPE6 | 1500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SA966-YTPE6 | 1500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SA966 | 1500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SA966-Y | 1500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SA968B-O | 1.5 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SA965TM | 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:-0.8A , -120V PNP Plastic Encapsulated Transistor |
2SA965Y | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92VAR |
2SA965-Y | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2SA965-Y(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 3-Pin TO-92 Mod |
2SA965-Y(F,M) | 功能描述:TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):800mA 电压 - 集射极击穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:120MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:LSTM 标准包装:1 |