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参数资料
| 型号： | 2SAR542DTL |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 5000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | CPT3, SC-63, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 591K |
| 代理商： | 2SAR542DTL |
www.rohm.com
20
10 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Midium Power Transistors (-30V / -5A)
2SAR542D
Structure
Dimensions (Unit : mm)
PNP Silicon epitaxial planar transistor
Features
1) Low saturation voltage
VCE (sat) = -0.4V (Max.) (IC / IB= -2A / -100mA)
2) High speed switching
Applications
Driver
Inner circuit (Unit : mm)
Package
CPT3
Code
TL
Basic ordering unit (pieces)
2500
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Symbol
Limits
Unit
Collector-base voltage
VCBO
-30
V
Collector-emitter voltage
VCEO
-30
V
Emitter-base voltage
VEBO
-6
V
DC
IC
-5
A
Pulsed
ICP
-10
A
PD
1W
PD
10
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Range of storage temperature
Tstg
-55 to 150
°C
*1 Pw=10ms, Single Pulse
*2 Mounted on a substrate
*3 TC=25°C
Packaging specifications
Type
Parameter
Collector current
Power dissipation
*1
*2
*3
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
(1)
(2)
(3)
CPT3
(SC-63)
<SOT-428>
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
1/5
2010.12 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2SB774S | 100 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SAR542F3TR | 功能描述:TRANS PNP 30V 3A HUML2020L3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:200mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:2.1W 频率 - 跃迁:240MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-UDFN，裸露焊盘 供应商器件封装:HUML2020L3 标准包装:1 |
| 2SAR542P | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Midium Power Transistors (-30V / -5A) |
| 2SAR542P_09 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Midium Power Transistors (-30V / -5A) |
| 2SAR542PFRAT100 | 功能描述:PNP DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON 制造商:rohm semiconductor 系列:汽车级，AEC-Q101 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:240MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 |
| 2SAR542PT100 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Trans GP BJT PNP 30V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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