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参数资料
| 型号： | 2SB0932P |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | N-G1, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 215K |
| 代理商： | 2SB0932P |
2SC1921
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 2 of 5
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown voltage
V(BR)CBO
250
—
V
IC = 10
A, IE = 0
Collector to emitter breakdown voltage
V(BR)CEO
200
—
V
IC = 1 mA, RBE =
∞
Emitter to base breakdown voltage
V(BR)EBO
5
—
V
IE = 10
A, IC = 0
Collector cutoff current
ICEO
—
1.0
A
VCE = 120 V, RBE =
∞
DC current transfer ratio
hFE
30
—
300
VCE = 6 V, IC = 10 mA
Collector to emitter saturation voltage
VCE(sat)
—
1.0
V
IC = 10 mA, IB = 1 mA
Gain bandwidth product
fT
60
130
—
MHz
VCE = 6 V, IC = 10 mA
Collector output capacitance
Cob
—
3
4
pF
VCB = 6 V, IE = 0, f = 1 MHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB932P | 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB0939AQ | 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB939P | 8 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB0939P | 8 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB0940P | 2 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB0932Q | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 130V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-263AB |
| 2SB0933 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:For Power Switching |
| 2SB0933(2SB933) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:パワーデバイス － パワートランジスタ － 汎用電力増幅 |
| 2SB0933P | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-262VAR |
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