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参数资料
| 型号： | 2SB0950AR |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | TO-220F-A1, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 205K |
| 代理商： | 2SB0950AR |
2SB0950, 2SB0950A
2
SJD00029BED
VCE(sat) IC
hFE IC
Cob VCB
PC Ta
IC VCE
IC VBE
Safe operation area
Rth t
0
160
40
120
80
0
10
20
30
40
50
(1)TC=Ta
(2)With a 100
×100×2mm
Al heat sink
(3)With a 50
×50×2mm
Al heat sink
(4)Without heat sink
(PC=2W)
(1)
(4)
(3)
(2)
Collector
power
dissipation
P
C
(W)
Ambient temperature T
a (°C)
0
6
5
4
3
2
1
0
5
1
2
4
3
TC=25C
–2.5mA
–2.0mA
–1.5mA
–1.0mA
–0.5mA
–0.4mA
–0.3mA
–0.2mA
IB=–3.0mA
Collector
current
I
C
(A)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
0
3.2
0.8
2.4
1.6
0
2
4
6
8
10
Base-emitter voltage V
BE (V)
Collector
current
I
C
(A)
VCE=–3V
25C
TC=100C
–25C
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V)
Collector current I
C (A)
IC/IB=250
25C
TC=100C
–25C
0.01
0.1
1
10
102
103
104
105
106
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (A)
VCE=–3V
TC=100C
25C
–25C
0.1
1
10
100
1
10
102
103
104
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
Collector-base voltage V
CB (V)
IE=0
f=1MHz
TC=25C
Collector
current
I
C
(A)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
0.01
1
0.1
1
10
100
10
100
1000
t=1ms
t=10ms
ICP
IC
2SB0950A
2SB0950
Non repetitive pulse
TC=25C
DC
102
101
1
10
103
102
104
103
102
10
1
101
102
103
Time t (s)
Thermal
resistance
R
th
(°
C/W)
(1)
(2)
(1)Without heat sink
(2)With a 100
×100×2mm Al heat sink
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB0954AQ | 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SB954P | 1 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 2SB0950Q | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB |
| 2SB0951 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:For midium-speed switching |
| 2SB0951(2SB951) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:パワーデバイス － パワートランジスタ － 汎用電力増幅 |
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