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参数资料
| 型号： | 2SB1009/P |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 A, 32 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 75K |
| 代理商： | 2SB1009/P |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1563/QR | 1.5 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SB1065/N | 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SD2343/N | 1500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126FP |
| 2SD1563/NP | 1.5 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SB891F/QR | 2 A, 32 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1010 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:TRANSISTORS TO 92L TO-92LS MRT |
| 2SB1010T103Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:2000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92L |
| 2SB1011 | 功能描述:TRANS PNP LF 400VCEO .1A TO-126 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1011QRL | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1012 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon PNP Epitaxial |
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