型号: | 2SB1009/QR |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 2 A, 32 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 75K |
代理商: | 2SB1009/QR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SD1189F/QR | 2 A, 32 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126FP |
2SB889F/R | 0.7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126FP |
2SA1775/NQ | 0.5 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
2SA1775/N | 0.5 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
2SB1007/P | 0.7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SB1010 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:TRANSISTORS TO 92L TO-92LS MRT |
2SB1010T103Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:2000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92L |
2SB1011 | 功能描述:TRANS PNP LF 400VCEO .1A TO-126 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
2SB1011QRL | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
2SB1012 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon PNP Epitaxial |