| 型号: | 2SB1028EM |
| 元件分类: | 小信号晶体管 |
| 英文描述: | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装: | UPAK-3 |
| 文件页数: | 1/6页 |
| 文件大小: | 29K |
| 代理商: | 2SB1028EM |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1028-EL | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1028EL | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1030Q | 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1030R | 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1059 | 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1028EMTR-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB103 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-5 -30V -.1A .125W |
| 2SB1030 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1030/2SB1030A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:2SB1030. 2SB1030A - PNP Transistor |
| 2SB1030A | 功能描述:TRANS PNP AF AMP 50V 500MA NEW S RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |