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参数资料
| 型号： | 2SB1106 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 6 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | 2SB1106 |
2SB1106
Silicon PNP Triple Diffused
Application
Low frequency power amplifier
Outline
TO-220AB
3.0 k
(Typ)
180
(Typ)
1
2
3
1. Base
2. Collector
(Flange)
3. Emitter
1
2
3
ID
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25
GC)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
–120
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
–120
V
Emitter to base voltage
V
EBO
–7
V
Collector current
I
C
–6
A
Collector peak current
I
C(peak)
–12
A
Collector power dissipation
P
C*
1
40
W
Junction temperature
Tj
150
GC
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
GC
C to E diode forward current
I
D*
1
6A
Note:
1. Value at T
C = 25GC.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1106 | 6 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SB1109 | 0.1 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1110C | 0.1 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1109 | 0.1 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1110 | 0.1 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1108 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Medium Speed Switching Complementary Pair with 2SD1608 |
| 2SB1109 | 制造商:Hitachi 功能描述:Bipolar Junction Transistor, PNP Type, TO-126 |
| 2SB1109B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
| 2SB1109C | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
| 2SB1109D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
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