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参数资料
型号： 2SB1121-R
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： 2000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： ULTRA SMALL, PCP, 3 PIN
文件页数： 3/4页
文件大小： 84K
代理商： 2SB1121-R
2SB1121 / 2SD1621
No.1787-3/4
IC -- VCE
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- mV
IC -- VCE
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- mV
A S O
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
VCE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
hFE -- IC
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
f T -- IC
Collector Current, IC -- mA
Gain-Brandwidth
Product,
f
T
--
MHz
Cob -- VCB
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
--2.0
--1.2
--0.8
--0.4
--1.6
0
--200
--400
--1000
--800
--600
IB=0mA
ITR08868
2SB1121
From top
--250mA
--200mA
--150mA
--100mA
--2mA
--8mA
--6mA
--4mA
--10mA
--20mA
--30mA
--50mA
--40mA
2.0
1.2
0.8
0.4
1.6
0
200
400
1000
800
600
IB=0mA
ITR08869
2mA
8mA
6mA
4mA
10mA
20mA
30mA
50mA
40mA
2SD1621
0.1
5
7
1.0
7
10
5
3
2
5
3
2
1.0
10
25
5
7
3
57
32
3
ITR08876
23
5
10
23
5
100
7
1000
100
10
2
7
5
7
5
3
2
3
ITR08872
2SB1
121
2SD1621
2
5
7
3
2
5
7
3
2
5
7
3
1.0
0.1
0.01
10
23
5
57
7
23
5
7 0.1
0.01
23
5
1.0
ITR08874
100
1.0
10
7
3
5
2
10
2
27
35
5
23
ITR08873
2SB1
121
2SD1621
2SB1
121
2SD1621
2SB1121 /
2SD1621
VCE=10V
For PNP, minus sign is omitted
2SB1121 /
2SD1621
IC / IB=10
For PNP, minus sign is omitted
2SB1121 /
2SD1621
f=1MHz
For PNP, minus sign is omitted
10ms 1ms
100ms
DC
operation
Ta=25
°C
Single pulse
Mounted on a ceramic board (250mm2
0.8mm)
For PNP, minus sign is omitted
2SB1121 /
2SD1621
2
3
5
100
7
2
3
5
10
7
5
7
1000
0.01
0.1
23
5
7
23
5
7
23
5
7
1.0
10
ITR08871
2SB1121
2SD1621
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.0
3.2
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
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0.4
0
ITR08870
2SB1
121
2SD1621
2SB1121 /
2SD1621
VCE=2V
For PNP, minus sign is omitted
2SB1121 /
2SD1621
VCE=2V
For PNP, minus sign is omitted
ICP=5A
IC=2A
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PDF描述
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2SB1121S-TD-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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2SB1121U 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-89
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