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参数资料
| 型号： | 2SB1121-T |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ULTRA SMALL, PCP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 84K |
| 代理商： | 2SB1121-T |
2SB1121 / 2SD1621
No.1787-2/4
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=(--)20V, IE=0A
(--)0.1
μA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=(--)4V, IC=0A
(--)0.1
μA
DC Current Gain
hFE1VCE=(--)2V, IC=(--)100mA
100*
560*
hFE2VCE=(--)2V, IC=(--)1.5A
65
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)10V, IC=(--)50mA
150
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
(32)19
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)1.5A, IB=(--)75mA
(--0.35)0.18
(--0.6)0.4
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)1.5A, IB=(--)75mA
(--)0.85
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10μA, IE=0A
(--)30
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)25
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10μA, IC=0A
(--)6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
(60)60
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(350)550
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
(25)25
ns
*: The 2SB1121 / 2SD1621 are classified by 100mA hFE as follows:
Rank
R
S
T
U
hFE
100 to 200
140 to 280
200 to 400
280 to 560
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7007B-004
VR
RB
12V
--5V
+
50Ω
INPUT
OUTPUT
24Ω
100μF
470μF
PW=20μs
IC=20IB1= --20IB2=500mA
(For PNP, the polarity is reversed)
IB1
D.C.≤1%
IB2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1121-U | 2000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1621-T | 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1121U | 2000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1621-U | 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1621-S | 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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