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参数资料
| 型号： | 2SB1122-S |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ULTRA SMALL, PCP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 89K |
| 代理商： | 2SB1122-S |
2SB1122 / 2SD1622
No.2040-2/5
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
DC Current Gain
hFE1VCE=(--)2V, IC=(--)100mA
100*
560*
hFE2VCE=(--)2V, IC=(--)1A
30
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)10V, IC=(--)50mA
150
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
(12)8.5
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)500mA, IB=(--)50mA
(--180)120 (--500)300
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)500mA, IB=(--)50mA
(--)0.9
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10μA, IE=0A
(--)60
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10μA, IC=0A
(--)5
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
(40)40
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(300)350
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
(30)30
ns
*: The 2SB1122 / 2SD1622 are classified by 100mA hFE as follows:
Rank
R
S
T
U
hFE
100 to 200
140 to 280
200 to 400
280 to 560
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7007B-004
VR
RB
25V
--5V
+
50Ω
INPUT
OUTPUT
RL
50Ω
100μF
470μF
PW=20μs
IC=10IB1= --10IB2=500mA
(For PNP, the polarity is reversed)
IB1
D.C.≤1%
IB2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1122U | 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1122 | 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1622 | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1124 | 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1624U | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1122S-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1122T | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89 |
| 2SB1122T-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1122U | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89 |
| 2SB1123 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:High-Current Switching Applications |
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