- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录31686 > 2SB1123 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SB1123 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PCP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 33K |
| 代理商： | 2SB1123 |
2SB1123 / 2SD1623
No.1727-2/5
Continued from preceding page.
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)10V, IC=(--)50mA
150
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
(22)12
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)1A, IB=(--)50mA
(--0.3)0.15
(--0.7)0.4
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)1A, IB=(--)50mA
(--)0.9
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10A, IE=0
(--)60
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10A, IC=0
(--)6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
(60)60
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(450)550
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
(30)30
ns
Switching Time Test Circuit
--2.4
--1.6
--1.2
--0.8
--0.4
--2.0
0
--0.4
--0.8
--2.4
--2.0
--1.6
--1.2
IC -- VCE
IB=0
ITR08891
2SB1123
Pulse
--2mA
--8mA
--6mA
--4mA
--20mA
--10mA
--50mA
--1200
--800
--600
--400
--200
--1000
0
--2
--4
--12
--10
--8
--6
IC -- VCE
IB=0
ITR08893
2SB1123
Pulse
--3mA
--2mA
--1mA
--7mA
--6mA
--5mA
--4mA
1200
800
600
400
200
1000
0
02
4
12
10
8
6
IC -- VCE
IB=0
ITR08894
2SD1623
Pulse
3mA
2mA
1mA
7mA
6mA
5mA
4mA
2.4
1.6
1.2
0.8
0.4
2.0
0
0.4
0.8
2.4
2.0
1.6
1.2
IC -- VCE
IB=0
ITR08892
2SD1623
Pulse
2mA
8mA
4mA
25mA
15mA
50mA
40mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
VR
RB
25V
--5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL=50
100
F
470
F
PW=20
s
10IB1= --10IB2=IC=500mA
(For PNP, the polarity is reversed)
IB1
D.C.
≤1%
IB2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1123-T | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1123-T | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1623R | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1623U | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1623R | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1123_10 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:High-Current Switching Applications |
| 2SB1123-D | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:High-Current Switching Applications |
| 2SB1123R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-89 |
| 2SB1123S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-89 |
| 2SB1123S-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。