参数资料
型号: 2SB1123U
厂商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: PCP, 3 PIN
文件页数: 3/5页
文件大小: 33K
代理商: 2SB1123U
2SB1123 / 2SD1623
No.1727-3/5
f T -- IC
Cob -- VCB
--1.0
--10
7
3
5
100
7
5
10
2
27
35
--100
27
35
ITR08901
hFE -- IC
2
3
5
10
7
1000
2
3
5
7
100
23
5
--10
23
5
--100
23
7
--1000
ITR08897
2SB1123
VCE= --2V
2
3
5
10
7
1000
2
3
5
7
100
23
5
--10
23
5
--100
23
7
--1000
ITR08899
2SB1123
VCB=10V
2SB1123
f=1MHz
f T -- IC
2
3
5
10
7
1000
2
3
5
7
100
23
5
10
23
5
100
23
7
1000
ITR08900
2SD1623
VCB=10V
hFE -- IC
2
3
5
10
7
1000
2
3
5
7
100
23
5
10
23
5
100
23
7
1000
ITR08898
2SD1623
VCE=2V
Cob -- VCB
1.0
10
7
3
5
100
7
5
10
2
27
35
100
27
35
ITR08902
2SD1623
f=1MHz
Collector Current, IC -- mA
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC -- mA
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC -- mA
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
-
MHz
Collector Current, IC -- mA
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
-
MHz
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.2
--1.0
--1200
--1000
--800
--600
--400
--200
0
IC -- VBE
ITR08895
2SB1123
VCE= --2V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.0
1200
1000
800
600
400
200
0
IC -- VBE
ITR08896
2SD1623
VCE=2V
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
相关PDF资料
PDF描述
2SB1123-S 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1623-U 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1623-R 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1123-R 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1123R 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SB1124 制造商:KEXIN 制造商全称:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SB1124R 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-89
2SB1124S 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-89
2SB1124S-TD-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SB1124S-TD-H 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2