参数资料
型号: 2SB1124-S
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: PCP, 3 PIN
文件页数: 3/4页
文件大小: 96K
代理商: 2SB1124-S
2SB1124/2SD1624
No.2019—3/4
0--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.2
--1.0
--3.2
--2.8
--2.4
--1.6
--2.0
--1.2
--0.8
--0.4
0
IC -- VBE
ITR08911
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
2SB1124
VCE= --2V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.0
3.2
2.8
2.4
1.6
2.0
1.2
0.8
0.4
0
IC -- VBE
ITR08912
Ta
=75
°C
25
°C
--25
°C
2SD1624
VCE=2V
23
5
0.1
10
23
5
0.01
23
5
1.0
f T -- IC
100
10
2
5
7
1000
7
5
3
2
3
ITR08915
2SB1124
2SD1624
Cob -- VCB
1.0
10
7
3
5
10
1.0
2
3
5
2
27
35
100
27
35
ITR08916
hFE -- IC
2
3
5
7
1000
2
3
5
7
100
23
5
--0.01
23
5
--0.1
23
7
--1.0
ITR08913
2SB1124
VCE= --2V
Ta=75
°C
25
°C
--25°C
hFE -- IC
2
3
5
7
1000
2
3
5
7
100
23
5
0.01
23
5
0.1
23
7
1.0
ITR08914
2SD1624
VCE=2V
Ta=75°C
25
°C
--25°C
2
5
7
3
2
5
3
--100
--10
--1000
23
5
7
77
--0.01
23
5
3
5
--0.1
2
--1.0
ITR08917
VCE(sat) -- IC
2SB1124
IC / IB=20
75°
C
25°C
Ta=
--2
5°C
2
5
7
3
2
5
3
100
10
1000
23
5
7
77
0.01
23
5
3
5
0.1
2
1.0
ITR08918
VCE(sat) -- IC
2SD1624
IC / IB=20
25°C
Ta=75°
C
--25°C
2SB1124 /
2SD1624
VCE=10V
2SB1124
2SD1624
2SB1124 /
2SD1624
f=1MHz
Collector
Current,
I C
—A
Base-to-Emitter Voltage, VBE —V
Collector
Current,
I C
—A
Base-to-Emitter Voltage, VBE —V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC —A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC —A
For PNP, minus sign is omitted.
Gain-Bandwidth
Product,
f T
MHz
Collector Current, IC —A
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
m
V
Collector Current, IC —A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
m
V
Collector Current, IC —A
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