- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33333 > 2SB1132-R-TP (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS) 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SB1132-R-TP |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 187K |
| 代理商： | 2SB1132-R-TP |
2SB1132-P
PNP
Plastic-Encapsulate
Transistors
Features
Power dissipation: PCM = 0.5W(Tamb=25 )
Collector current: ICM = -1A
Collector-base voltage: V(BR)CBO = -40V
Operating and storage junction temperature range
TJ, Tstg: -55
to + 150
Electrical Characteristics @ 25
Unless Otherwise Specified
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Unit
VCEO
Collector-Emitter Voltage
(IC=-50
A, IE=0)
-32
---
V
VCBO
Collector-Base Voltage
(IC=-1
A, IB=0)
-40
---
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
(IE=-50
A, IC=0)
-5.0
---
V
ICBO
Collector cut-off Current
(VCB=-20V, IE=0)
---
-0.5
A
IEBO
Emitter cut-off Current
(VEB=-5V, IC=0)
---
-0.5
A
hFE
DC current gain
(VCE=-2V, IC=-0.1A)
82
---
390
---
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(IC=-2A, IB=-0.1A)
---
-0.5
V
fT
Transition Frequency
(VCE=2.0Vdc, IC=0.5Adc)
---
150
---
MHz
Cob
Collector output capacitance
(VCB=-10V, IE=0, f=1MHz)
---
20
30
CLASSIFICATION OF hFE
Rank
P
Q
R
Range
82-180
120-270
180-390
Marking
BAP
BAQ
BAR
25
SOT-89
omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth
!"#
$% !"#
MCC
Revision: A
2011/01/01
1.BASE
2.COLLECTOR
3.EMITTER
TM
Micro Commercial Components
www.mccsemi.com
1 of 2
B
A
E
D
G
H
F
K
J
C
1
2
3
2SB1132-Q
2SB1132-R
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates
RoHS Compliant. See ordering information)
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisure Sensitivity Level 1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1132-P-TP | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1140-S-TP | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1144-SA | 1.5 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1684-SA | 1.5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1144-LT | 1.5 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1132T100P | 功能描述:两极晶体管 - BJT DVR PNP 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1132T100Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 32V 1A SO-89 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1132T100R | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1132T113Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SB1132T200Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。